Первый в мире двухмерный чип флэш-памяти с применением технологии построения интегральных микросхем CMOS
© Фото: Fudan University
Китайские ученые совершили значительный прорыв, представив миру первый двухмерный чип флеш-памяти, созданный с использованием передовой технологии комплементарного металлооксидного полупроводника (CMOS). Ключевой особенностью этой инновации является применение кремниевого материала толщиной всего в один атом. Как сообщает китайская газета China Daily, эта разработка имеет потенциал существенно ускорить и повысить энергоэффективность обработки данных для систем искусственного интеллекта и может стать новым глобальным стандартом для технологий памяти.
Новый чип был разработан исследовательской командой из престижного Фуданьского университета, а результаты их новаторской работы были опубликованы в одном из ведущих научных журналов мира — Nature.
Данный прорыв заключается в интеграции сверхбыстрого устройства флеш-памяти с CMOS-структурой на основе 2D кремния. Чип способен выполнять восьмибитные командные операции, 32-битные высокоскоростные параллельные операции и поддерживает произвольный доступ к данным. Его производительность достигает впечатляющих 94,3% для ячейки памяти, а скорость работы значительно превосходит современные технологии флеш-памяти. Это делает его первой успешной инженерной реализацией гибридного флеш-чипа на основе двухмерного кремния.
На фоне экспоненциального развития искусственного интеллекта (ИИ) резко возрастает потребность в более быстром и эффективном доступе к данным. Существующие технологии памяти зачастую ограничены по скорости передачи информации и характеризуются высоким энергопотреблением. Новая китайская разработка призвана преодолеть эти ограничения.
Для сравнения, стандартные кремниевые чипы изготавливаются из пластин толщиной в несколько сотен микрон, а наиболее тонкие из них имеют толщину в десятки нанометров. В отличие от них, двухмерные полупроводниковые материалы, использованные в новой технологии, обладают атомной толщиной, что составляет менее одного нанометра.
Глава исследовательской группы Чжоу Пэн отметил: «Двухмерные полупроводники, будучи принципиально новым классом материалов, на данный момент отсутствуют на всех мировых заводах по производству интегральных микросхем».
В планах ученых Фуданьского университета — активное сотрудничество с ведущими технологическими компаниями для дальнейшей реализации проекта и его коммерциализации. Они выражают уверенность, что их инновационная технология способна кардинально изменить традиционную архитектуру памяти, обеспечивая беспрецедентную скорость и энергоэффективность для обработки колоссальных объемов данных, критически важных для развития искусственного интеллекта и больших данных.
